彭博預警AI記憶體景氣恐反轉　2027供需回穩、2028恐過剩　HBM榮景能否延續成市場焦點

(圖/ MGBOX新聞網 AI圖片)

在AI伺服器需求持續推升下，高頻寬記憶體（HBM）、DRAM與NAND Flash價格近兩年大幅走揚，也帶動三星電子、SK海力士與美光等記憶體大廠股價屢創新高。然而，市場近期開始出現不同聲音，對AI記憶體是否將長期維持供不應求形成分歧。

彭博行業研究（Bloomberg Intelligence）分析師Shuli Ren最新研究報告指出，這波由AI驅動的記憶體短缺並非永久現象。報告認為，2026年第二季可能是供應最緊張的階段，隨著全球主要廠商的新產能陸續投入，市場可望於2027年逐步恢復供需平衡，若新增產能持續釋放，2028年甚至可能轉向供給大於需求。

分析指出，記憶體產業歷來具有高度景氣循環特性，即使AI改變終端需求結構，也未必完全改寫「供不應求—大量擴產—供給過剩」的產業循環模式。當價格維持高檔時，往往刺激業者積極投資擴產，而新產能集中開出後，也容易使市場重新面臨供給壓力。

市場也留意知名投資人Michael Burry近期再度看空記憶體產業，認為AI熱潮未必能完全消除產業週期風險。相關觀點與彭博分析形成呼應，使近期已經歷大幅上漲的記憶體類股承受部分獲利了結賣壓。

從股價表現觀察，截至7月上旬，美光、SK海力士與三星電子均自歷史高點修正超過兩成，陸續跌入技術性熊市區間。值得注意的是，此次修正並非來自企業財報惡化，而是在AI概念股漲幅龐大後，市場開始重新評估未來供需變化與估值水準。

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不過，另一派市場觀點仍維持樂觀。包括美光、SK海力士等記憶體廠商，以及部分國際投資機構認為，AI模型訓練、生成式AI、AI代理（AI Agent）及大型資料中心建設仍將持續推升HBM需求，高階記憶體供應短缺短時間內難以解除。

美光管理層先前表示，公司HBM產能已獲長期客戶預訂，並簽署多項長約，反映大型AI客戶對高效能記憶體需求仍相當強勁。部分分析機構也預估，HBM需求未來數年仍將維持高速成長，短期內市場仍可能維持供給偏緊格局。

另一方面，全球主要記憶體製造商已同步啟動新一輪資本支出。三星電子、SK海力士、美光等企業均已公布大型擴產計畫，涵蓋韓國、日本、美國等生產基地，多數新產能預定於2027年至2028年間陸續投產，時間點與彭博預測的供需轉折高度接近。

市場人士分析，真正值得觀察的不只是供給增加，更在於AI基礎建設是否仍能維持目前高速投資節奏。若大型雲端服務商、AI模型開發商及企業持續投入資料中心建設，新增需求有機會消化大量新產能；反之，若AI投資進入較成熟階段，市場便可能再次面臨供需失衡。

整體而言，目前市場對AI記憶體產業出現兩種不同路線。一方認為AI將重新定義記憶體需求，使HBM進入長期結構性成長；另一方則認為，即使AI改變市場規模，半導體仍難以擺脫景氣循環規律。未來2027年至2028年間新產能是否順利消化，將成為全球半導體市場的重要觀察指標，也將左右記憶體產業下一階段的價格與獲利走勢。

原文轉載自MGBOX新聞網：AI記憶體榮景能持續多久？彭博預測2027供需回穩、2028恐過剩　HBM多空全面交鋒

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(文/ 記者 郭紋雅)